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宏力推出国内首个0.18微米电压可调CDMOS

时间: 2019-05-15 17:31 作者:admin 来源:网络整理 点击:

  上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体),专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一,近日发布了国内首个适用于模拟集成电路和电源管理集成电路的0.18微米电压可调CDMOS(CMOS、LDMOS 及高压Bipolar)制程。

  与标准0.5和0.35微米的电源管理CDMOS制程相比,宏力半导体的最新0.18微米电压可调CDMOS拥有更为紧凑的设计规则和包括STI、Co silicide和ONO spacer等在内更为先进的工艺模块,从而可以减小单元尺寸并提高芯片的性能。由5V电压驱动的高压LDMOS器件的dual-gate解决方案建立在0.18微米CMOS低压逻辑制程上,由此可以促进智能电源管理产品的开发。

  该制程可调电压的范围是NLDMOS(12V-60V)和PLDMOS(12V-45V),其卓越的连续可调特性适用于对电压有不同要求的电源管理应用。客户可在同一个工艺平台上调节ESD和Latch up,而无需在不同电压的平台上进行工艺的调整。

  宏力半导体还特别为这个制程研发了一整套功能丰富的模型,以支持全程电压可调LDMOS晶体管的工作电压和相关几何参数。与此同时,为工艺平台配套的设计工具包(PDK)提供的Pcells可以让设计师基于用户输入的最大工作电压(Vdsmax)、和多指结构中的指宽度和指数目而设计出晶体管的版图。此外,该设计工具包的关键之处在于应用Rdson(导通电阻)的输入、最大工作电压和布局风格的功率单元之合成,从而用户可以很方便地合成输出功率单元的版图。

  低Rdson提供了极高的工作效率并允许高负载电流,由此芯片的功耗将减小到最低值。此外,宏力半导体还为电源管理芯片提供了多种工艺选项,包括高压Bipolars、Zener二极管、 Schottky二极管、顶层厚铝、悬浮NLDMOS、MIM电容、多晶硅高阻值电阻和OTP。

  “宏力半导体是国内第一家成功研发0.18微米电压可调CDMOS制程及其设计工具包的晶圆代工厂。该工艺的优势在于通过高压Bipolar器件就可满足目前很多必须使用复杂的BCD工艺的应用需求,由此可帮助客户极大地优化其产品的成本结构。”销售市场及服务资深副总裁卫彼得博士说,“另外,由于其电压可调及拥有多个工艺选项的特性,可以加速设计周期,为客户缩短产品投放市场的时间。这个新工艺应用十分广泛,例如电源管理、LED驱动、音频芯片和马达控制。”

(责任编辑:admin)

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